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IQE013N04LM6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:205A
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE013N04LM6ATMA1
- 商品编号
- C3289346
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@51uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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