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IQE065N10NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源 (SMPS) 进行优化，例如同步整流。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE065N10NM5ATMA1
- 商品编号
- C3289347
- 商品封装
- TSON-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@48uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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