温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ010NE2LS5ATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:212A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- 商品编号
- C3289331
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 212A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 经过 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
相似推荐
其他推荐
- ISZ019N03L5SATMA1
- BSZ100N06NSATMA1
- BSZ065N03LSATMA1
- BSZ146N10LS5ATMA1
- IQE008N03LM5ATMA1
- IQE013N04LM6ATMA1
- IQE065N10NM5ATMA1
- BSL205NL6327
- BSL308CH6327XTSA1
- BSL207NL6327
- IQE008N03LM5CGATMA1
- IPL65R200CFD7AUMA1
- IPL60R085P7AUMA1
- IPL65R095CFD7AUMA1
- IPL65R160CFD7AUMA1
- IPL60R125P7AUMA1
- IRFH8337TRPBF
- ISK024NE2LM5AULA1
- IRF3575DTRPBF
- IRFH8316TRPBF-IR
- IRFH7194TRPBF