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ISZ019N03L5SATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。 高频开关电源的极低 FOM_QSS。 高频开关电源的低 FOM_SW。 出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。 在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ019N03L5SATMA1
- 商品编号
- C3289332
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。
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