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IPZ40N04S53R9ATMA1
N沟道,电流:89A,耐压:40V
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- 描述
- 特性：OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用。 N沟道-增强模式-正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ40N04S53R9ATMA1
- 商品编号
- C3289319
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@21uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.737nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF |
优惠活动
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