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IAUZ40N10S5L120ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZ40N10S5L120ATMA1
- 商品编号
- C3289321
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@27uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.589nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 277pF |
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对充电器进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 具有出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准，无卤
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