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IPBE65R230CFD7AATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPBE65R230CFD7AATMA1

650V,电流:7A,耐压:650V

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商品型号
IPBE65R230CFD7AATMA1
商品编号
C3289307
商品封装
TO-263-7-3-10​
包装方式
编带
商品毛重
1.907克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.044nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流性能与先进易用性相结合,这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 市场上最新的具备集成快速体二极管的650V汽车级技术,具有超低 Qrr
  • 最低的品质因数 RDS(on)^*Qg 和 RDS(on)^*Eoss
  • 经过100%雪崩测试
  • 具备开尔文源极引脚
  • 在SMD和THD封装中拥有同类最佳的 RDS(on)

应用领域

-单向和双向DC-DC转换器-车载电池充电器

数据手册PDF