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ISZ080N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ080N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C3289314
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级
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