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ISZ0602NLSATMA1

1个N沟道耐压:80V 电流:64A

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描述: 特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: ISZ0602NLSATMA1
商品编号: C3289316
商品封装: TSDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.31克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项突破性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用量身优化的平台。凭借降低的栅极电荷（Qg）、同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改善的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换流稳健性，且在设计导入过程中易于实现。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

商品特性

~~- 超快速体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善的MOSFET反向二极管dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	64A
	导通电阻(RDS(on))	7.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	60W
	阈值电压(Vgs(th))	1.6V@29uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.4nF
	反向传输电容(Crss)	10pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	220pF