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ISZ0702NLSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:86A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ0702NLSATMA1
- 商品编号
- C3289315
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@26uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对电机驱动应用优化的技术
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 卓越的热阻
- N 沟道，常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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