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BSZ086P03NS3EGATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：单P沟道，采用S308封装，符合JEDEC标准，适用于目标应用。 工作温度达150℃。 VGS = 25V，特别适合笔记本应用。 无铅，符合RoHS标准。 ESD保护。 无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- 商品编号
- C3289308
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.4mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@105uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.785nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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