IPB160N08S4-03ATMA1
N沟道,电流:160A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB160N08S4-03ATMA1
- 商品编号
- C3289305
- 商品封装
- TO-263-7-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 239pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.997nF |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1(MSL1),最高回流峰值温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%经过雪崩测试
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