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IMBG120R030M1HXTMA1
IMBG120R030M1HXTMA1
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- 描述
- 特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换流的坚固体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R030M1HXTMA1
- 商品编号
- C3289294
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
商品特性
- 非常低的开关损耗
- 短路耐受时间3μs
- 完全可控的dV/dt
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压
- 适用于硬换流的强健体二极管
- .XT互连技术，实现同类最佳的热性能
- 封装爬电距离和电气间隙>6.1mm
- 用于优化开关性能的检测引脚
应用领域
- 驱动器
- 基础设施 - 充电器
- 能源发电 - 太阳能串逆变器和太阳能优化器
- 工业电源 - 工业UPS
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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