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IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R650M1XTMA1
- 描述
- 特性：革命性半导体材料：碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压，与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt，用于电磁干扰优化。应用：能源生产。 太阳能串式逆变器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBF170R650M1XTMA1
- 商品编号
- C3289295
- 商品封装
- TO-263-7-13
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 422pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ |
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