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IPB017N10N5LFATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:256A
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- 描述
- 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB017N10N5LFATMA1
- 商品编号
- C3289286
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 256A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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