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IPB80N06S2L07
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
- 描述
- 特性：N沟道逻辑电平。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 环保封装（无铅）。 超低导通电阻。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB80N06S2L07
- 商品编号
- C3289277
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
商品特性
- N沟道逻辑电平 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 绿色封装（无铅）
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
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