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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB04N03LAG

1个N沟道 耐压:25V 电流:80A

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商品型号
IPB04N03LAG
商品编号
C3289253
商品封装
TO-263​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)107W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@5V
输入电容(Ciss)3.877nF
反向传输电容(Crss)263pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.643nF

商品概述

650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管,可用于 PFC 和诸如 ZVS 移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。

商品特性

  • 非常适合高频直流-直流转换器
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • N沟道 - 逻辑电平
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 卓越的热阻
  • 工作温度可达175 °C
  • 具备dv/dt额定值
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 单向和双向 DC-DC 转换器
  • 车载电池充电器

数据手册PDF