IPB04N03LAG
1个N沟道 耐压:25V 电流:80A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB04N03LAG
- 商品编号
- C3289253
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.877nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 263pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.643nF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管，可用于 PFC 和诸如 ZVS 移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上采用集成快速体二极管的最新 650V 汽车级技术，具备超低 Qrr
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- SMD 和 THD 封装中同类最佳的 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器
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