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IPB65R050CFD7AATMA1

650V,电流:29A,耐压:650V

描述: 提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPB65R050CFD7AATMA1
商品编号: C3289210
商品封装: TO-263-3
包装方式: 编带
商品毛重: 1.859克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

市场上采用集成快速体二极管的最新 650V 汽车级技术,具有超低反向恢复电荷(Qrr)
最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
100% 雪崩测试
贴片(SMD)和通孔(THD)封装中具备同类最佳的导通电阻 RDS(on)

应用领域

单向和双向 DC-DC 转换器
车载电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	45A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	227W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	102nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.975nF
	工作温度	-40℃~+150℃