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IPB015N04NGATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB015N04NGATMA1
- 商品编号
- C3289223
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.3nF |
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