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IPB015N04NGATMA1

1个N沟道耐压:40V 电流:120A

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描述: 特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPB015N04NGATMA1
商品编号: C3289223
商品封装: TO-263-3
包装方式: 编带
商品毛重: 1.58克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

适用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
符合JEDEC标准,适用于目标应用
N沟道,常电平
出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
极低的导通电阻RDS(on)
100%雪崩测试
无铅镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

应用领域

用于 PC 主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和 UPS 的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	120A
	导通电阻(RDS(on))	1.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	250W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	250nC@10V
	输入电容(Ciss)	20nF
	反向传输电容(Crss)	160pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	5.3nF