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IPB60R280P7ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB60R280P7ATMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A

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描述
CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列是 CoolMOS P6 系列的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
商品型号
IPB60R280P7ATMA1
商品编号
C3289212
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.733333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@0.19mA
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)761pF
反向传输电容(Crss)280pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)14pF

数据手册PDF

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