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IPB320P10LMATMA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:63A
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- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻Ros(on)，VGS = 4.5 V，100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB320P10LMATMA1
- 商品编号
- C3289219
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@5550uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 219nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品特性
- 非常适合热插拔和电子保险丝应用
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 宽安全工作区SOA
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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