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IPB038N12N3GATMA1
1个N沟道 耐压:120V 电流:120A
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- 描述
- 特性：N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准，无卤素。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB038N12N3GATMA1
- 商品编号
- C3289209
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.76nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准,无卤素
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 适用于高频开关和同步整流
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