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IPB35N10S3L26ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB35N10S3L26ATMA1
- 商品编号
- C3289208
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于超18年的超结技术创新历程。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 潮湿敏感度等级1级,最高峰值回流温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- LED照明反激式拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 智能电表
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费和太阳能应用中的PFC级
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