IPI60R299CP
N沟道MOSFET,电流:11A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI60R299CP
- 商品编号
- C3289203
- 商品封装
- TO-262-3-1
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 299mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.44mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@480V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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