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IPI65R190C

1个N沟道耐压:650V 电流:20.2A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPI65R190C
商品编号: C3289196
商品封装: TO-262-3-1
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结 (SJ) 原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且稳健的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的稳健性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

超快体二极管
极高的换相耐用性
由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
易于使用/驱动
根据 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）标准，适用于工业级应用
无铅电镀，无卤模塑料

应用领域

650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级，例如 PC 电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	17.5A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	151W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@0.7mA
	栅极电荷量(Qg)	68nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.85nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	86pF