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IPD70N12S311ATMA1
1个N沟道 耐压:120V 电流:70A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70N12S311ATMA1
- 商品编号
- C3289141
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@83uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.222nF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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