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IPD70N12S311ATMA1

1个N沟道耐压:120V 电流:70A

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描述: 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。符合RoHS标准。 100%雪崩测试
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD70N12S311ATMA1
商品编号: C3289141
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.8克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此生产的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不失易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

OptiMOSTM - 汽车应用功率MOSFET
N沟道 - 增强型
通过汽车AEC Q101认证
最高260°C峰值回流温度下的MSL1
工作温度175°C
符合RoHS标准
100%雪崩测试

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关PWM级
谐振开关PWM级，例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信、不间断电源（UPS）等

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	120V
	连续漏极电流(Id)	70A
	导通电阻(RDS(on))	11.1mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	125W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	65nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.355nF
	反向传输电容(Crss)	158pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.222nF