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IPD19DP10NMATMA1

P沟道MOSFET,电流:-9.7A,耐压:-100V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD19DP10NMATMA1
商品编号: C3289143
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高端创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

P沟道
100%雪崩测试
正常电平
增强型
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关PWM级
谐振开关PWM级，例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	13.7A
	导通电阻(RDS(on))	186mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	2nF
	反向传输电容(Crss)	40pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	140pF