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IPD40DP06NMATMA1

1个P沟道耐压:60V 电流:4.3A

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描述: 特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD40DP06NMATMA1
商品编号: C3289171
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.6克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

~~- 由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss,损耗极低-出色的热性能-集成ESD保护二极管-低开关损耗(Eoss)-产品符合JEDEC标准进行验证

应用领域

充电器的反激式拓扑结构-适配器的反激式拓扑结构-照明应用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	4.3A
	导通电阻(RDS(on))	400mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	19W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@166uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	6.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	260pF
	反向传输电容(Crss)	12pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	40pF