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IPD60R360CFD7ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R360CFD7ATMA1
- 商品编号
- C3289167
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 679pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 超快体二极管
- 低栅极电荷
- 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
- 改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性
- 最低的品质因数RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss
- 贴片(SMD)和通孔(THD)封装中同类最佳的RDS(on)
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电
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