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IPD230N06LG实物图
  • IPD230N06LG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD230N06LG

N沟道,电流:30A,耐压:60V

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商品型号
IPD230N06LG
商品编号
C3289142
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@49uA
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)101pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)330pF

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点,且不牺牲易用性,还提供了市场上最佳的降本性能比。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 适用于标准等级应用

应用领域

  • 适配器
  • LCD 与 PDP 电视
  • 室内照明

数据手册PDF