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IPD70R1K4P7SAUMA1
耐压:700V 电流:4A
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- 描述
- CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOs TM P7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- 商品编号
- C3289134
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.421克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 22.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.04mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 158pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数Ron x Qg
- 超低栅极电荷
- 极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 符合JEDEC工业级应用标准
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；无卤模塑料
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