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IPW65R190C6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R190C6

650V,电流:20.2A,耐压:700V

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商品型号
IPW65R190C6
商品编号
C3289087
商品封装
TO-247-3-41​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20.2A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V
耗散功率(Pd)151W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.73mA
栅极电荷量(Qg)73nC@10V
输入电容(Ciss)1.62nF
反向传输电容(Crss)308pF@480V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)98pF

商品特性

  • OptiMOS™ - 汽车应用功率MOSFET
  • N沟道 - 增强型
  • 通过汽车AEC Q101认证
  • 最高260°C峰值回流温度下的MSL1
  • 工作温度175°C
  • 符合RoHS标准
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF