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IPS075N03LG

N沟道,电流:50A,耐压:30V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPS075N03LG
商品编号: C3289108
商品封装: TO-251-3-11
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具备同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施，不打折扣。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总之，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

适用于软开关拓扑
针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	7.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	47W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	18nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.9nF
	反向传输电容(Crss)	44pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	770pF