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IPD95R450P7实物图
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IPD95R450P7

1个N沟道 耐压:950V 电流:14A

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描述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性完美结合,这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
商品型号
IPD95R450P7
商品编号
C3289115
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.36mA
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.053nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)16pF

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