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IPD95R450P7
1个N沟道 耐压:950V 电流:14A
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- 描述
- 最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD95R450P7
- 商品编号
- C3289115
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.053nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新成果。由此推出的器件兼具快速开关SJ MOSFET的所有优势，且不影响易用性。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更高效、更紧凑、更轻便且更低温。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的V(GS)th为3V,且V(GS)th变化最小,为± 0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 一流的CoolMOS品质和可靠性
- 完全优化的产品组合
应用领域
- LED照明反激式拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 智能电表
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费和太阳能应用中的PFC级
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