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IPD80R2K0P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R2K0P7ATMA1
- 商品编号
- C3289114
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 175°C工作温度
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 高电流额定值
- 无铅镀覆，符合RoHS标准
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