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IPS70R360P7S
1个N沟道 耐压:700V 电流:12.5A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS70R360P7S
- 商品编号
- C3289097
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌（Infineon）超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 出色的热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗(E\text oss )
- 产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
-充电器中使用的反激式拓扑结构-适配器中使用的反激式拓扑结构-照明应用中使用的反激式拓扑结构
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