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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R075CFD7AXKSA1

650V汽车级MOSFET,电流:20A,耐压:650V

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商品型号
IPW65R075CFD7AXKSA1
商品编号
C3289086
商品封装
TO-247-3-41​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)171W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@0.82mA
栅极电荷量(Qg)68nC@10V
输入电容(Ciss)3.288nF
反向传输电容(Crss)1.153nF@400V
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 一流的品质因数(导通电阻 * 输出存储能量);降低了栅极电荷、输入电容和输出电容
  • 一流的DPAK导通电阻
  • 一流的3V阈值电压和最小的±0.5V阈值电压变化
  • 集成齐纳二极管静电放电保护
  • 完全符合JEDEC工业应用标准
  • 全面优化的产品组合

应用领域

-用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费应用中的功率因数校正级-太阳能中的功率因数校正级

数据手册PDF