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AIMW120R035M1HXKSA1
1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET
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- 描述
- 特性：革命性半导体材料：碳化硅。极低的开关损耗。无阈值导通特性。IGBT兼容驱动电压（导通电压18V）。0V关断栅极电压。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。应用：车载充电器/PFC。升压/DC-DC转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMW120R035M1HXKSA1
- 商品编号
- C3289085
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 耗散功率(Pd) | 228W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ |
- IMZ120R030M1HXKSA1
- IMZA65R030M1HXKSA1
- IPW65R075CFD7AXKSA1
- IPW65R190C6
- IPU60R600C6BKMA1
- IPS70R360P7S
- IPU50R950CE
- IPS70R900P7SAKMA1
- IPS65R950C6AKMA1
- IPS105N03LG
- SPS01N60C3BKMA1
- IPS70R1K4CEAKMA1
- IPS075N03LG
- IPU80R4K5P7AKMA1
- IRFR9120NPBF
- SPD15P10PLGBTMA1
- IPD80R2K0P7ATMA1
- IPD95R450P7
- IPD60R600P7ATMA1
- IPD80R2K8CEATMA1
- IPD60R380E6BTMA1