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IPW65R115CFD7AXKSA1
汽车级650V CoolMOS CFD7A MOSFET,电流:13A,耐压:650V
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- 描述
- 提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- 商品编号
- C3289083
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 741pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
VRF2933(MP)是一款采用镀金工艺的硅N沟道射频功率晶体管，专为宽带商业应用设计，能在不影响可靠性、耐用性或互调失真的前提下提供高功率和高增益。在部件编号末尾添加“MP”表示匹配对，即两个部件的栅源阈值电压（VGS(TH)）相匹配。
商品特性
- 市场上具备集成快速体二极管的最新650V汽车级技术,具有超低 Qrr
- 最低的品质因数 RDS(on)^*Qg 和 RDS(on)^*Eoss
- 经过100%雪崩测试
- SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
-单向和双向DC-DC转换器-车载电池充电器
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