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AIMW120R080M1XKSA1实物图
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AIMW120R080M1XKSA1

AIMW120R080M1XKSA1

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描述
特性:革命性的半导体材料。 碳化硅:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 IGBT兼容驱动电压(导通电压15V)。 关断栅极电压0V。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。应用:车载充电器/PFC。 升压器/DC-DC转换器
商品型号
AIMW120R080M1XKSA1
商品编号
C3289080
商品封装
TO-247-3-41​
包装方式
管装
商品毛重
6.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
属性参数值
连续漏极电流(Id)33A
耗散功率(Pd)150W

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