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AIMW120R080M1XKSA1
AIMW120R080M1XKSA1
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- 描述
- 特性：革命性的半导体材料。 碳化硅：极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 IGBT兼容驱动电压（导通电压15V）。 关断栅极电压0V。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。应用：车载充电器/PFC。 升压器/DC-DC转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMW120R080M1XKSA1
- 商品编号
- C3289080
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ |