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IPW50R140CPFKSA1

1个N沟道耐压:500V 电流:23A

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描述: 特性：极低的导通电阻RDS(on)（TO220封装）。极低的品质因数Rsw×Qg。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。应用：硬开关和软开关开关电源拓扑。 ATX、笔记本电脑适配器、PDP和LCD电视的CCM PFC
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW50R140CPFKSA1
商品编号: C3289073
商品封装: TO-247-3-1
包装方式: 管装
商品毛重: 6.2克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的换代产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时具有出色的耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

TO220封装下全球最佳的导通电阻(RDS,on)
最低的品质因数(RON × Qg)
超低栅极电荷
极高的dv/dt额定值
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
按照JEDEC标准,适用于工业级应用

应用领域

硬开关和软开关开关电源(SMPS)拓扑
用于ATX电源、笔记本电脑适配器、PDP和LCD电视的连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)
用于ATX电源、笔记本电脑适配器、PDP和LCD电视的脉宽调制(PWM)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	23A
	导通电阻(RDS(on))	140mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	192W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	48nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.54nF
	反向传输电容(Crss)	230pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	110pF