温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPW50R140CPFKSA1

1个N沟道耐压:500V 电流:23A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：极低的导通电阻RDS(on)（TO220封装）。极低的品质因数Rsw×Qg。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。应用：硬开关和软开关开关电源拓扑。 ATX、笔记本电脑适配器、PDP和LCD电视的CCM PFC
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW50R140CPFKSA1
商品编号: C3289073
商品封装: TO-247-3-1
包装方式: 管装
商品毛重: 6.2克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的换代产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时具有出色的耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
显著降低开关损耗和传导损耗
所有产品的ESD耐用性极佳，>2kV（HBM）
低RDS(on)A（低于1Ωmm²）使其与竞品相比，在RDS(on)/封装方面表现更优

应用领域

用于如PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	23A
	导通电阻(RDS(on))	140mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	192W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@0.93mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	48nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.54nF
	反向传输电容(Crss)	230pF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	110pF