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IPW65R125CFD7XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:19A
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- 描述
- 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。其满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R125CFD7XKSA1
- 商品编号
- C3289063
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@420uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.694nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 661pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS CE 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术。高电压能力将安全性、性能和耐用性相结合，可实现最高效率水平的稳定设计。800V CoolMOS CE 提供多种封装选择，有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计。
商品特性
- 高压技术
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 低栅极电荷
- 低有效电容
- 符合 JEDEC 标准
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准；无卤模塑料
应用领域
- 用于 QR 反激拓扑 retrofit 应用的 LED 照明
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