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IPW50R190CE

500V,电流:24.8A,耐压:550V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW50R190CE
商品编号: C3289084
商品封装: TO-247-3-41
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新，相较于目标应用中的标准MOSFET，是一种更具成本吸引力的选择。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅电镀,无卤模塑料
符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

功率因数校正(PFC)级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级,例如用于电脑主机、液晶和等离子电视以及照明设备。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	24.8A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@13V
	耗散功率(Pd)	152W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	47.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.137nF
	反向传输电容(Crss)	251pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	68pF