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IPA60R600P7SXKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
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- 描述
- 7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R600P7SXKSA1
- 商品编号
- C3289017
- 商品封装
- TO-220-FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@80uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg，实现更高效率
- 同类最佳的 RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
应用领域
- 用于计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。
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