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IPA60R170CFD7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R170CFD7XKSA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:8.5A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)和改进的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实现
商品型号
IPA60R170CFD7XKSA1
商品编号
C3289028
商品封装
TO-220-FP​
包装方式
管装
商品毛重
2.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)26W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.199nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,提供更高效率、更低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Q(rr))
  • 改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和di(F)/dt鲁棒性
  • 最低的品质因数R(DS(on))*Q(g)和R(DS(on))*E(oss)
  • SMD和THD封装中同类最佳的R(DS(on))

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用 – 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF