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IPW60R125P6XKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:30A

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描述: CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW60R125P6XKSA1
商品编号: C3289052
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 10.1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss）带来极低的损耗
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤模塑料
符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-用于PC主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的谐振开关级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	125mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	219W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@0.96mA
	栅极电荷量(Qg)	56nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.66nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	110pF