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IPW60R037CSFDXKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:54A

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描述: CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件，专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷（Qg）低且开关性能得到改善，该器件在目标市场中具备最高效率
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW60R037CSFDXKSA1
商品编号: C3289054
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 6.14克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。IPW60R037CSFD 是一款优化器件，专为满足车载外电动汽车充电细分市场的需求而定制。凭借低栅极电荷（Qg）和改善的开关特性，它在目标市场中实现了最高效率。此外，它还集成了快速体二极管，大幅降低了反向恢复电荷（Qrr），从而在谐振拓扑中具备了极高的可靠性。由于具备这些特性，IPW60R037CSFD 符合车载外电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

~~- 快速体二极管-行业领先的反向恢复电荷(Qrr)-最低的品质因数 Rds(ON)*QG 和 Rds(ON)*Eoss-成本优化

应用领域

软开关和硬开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC 及 PFC 应用——电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	54A
	导通电阻(RDS(on))	31mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	245W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@1.63mA
	栅极电荷量(Qg)	136nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.623nF@400V
	反向传输电容(Crss)	47pF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃