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IPW65R018CFD7XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:106A
- 描述
- 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R018CFD7XKSA1
- 商品编号
- C3289047
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 106A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@2910uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 234nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.659nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 额定周期性雪崩能力
- 极高的dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 改进的跨导
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
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