温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPW50R299CP

N沟道,电流:12A,耐压:550V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW50R299CP
商品编号: C3289041
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.55克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

最低优值 RON × Qg
超低栅极电荷
极高 dv/dt 额定值
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
符合 JEDEC 工业级应用要求

应用领域

硬开关和软开关开关电源拓扑
笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD 电视的连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)
笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD 电视的脉宽调制(PWM)

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	299mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	104W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	31nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.19nF
	反向传输电容(Crss)	110pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	53pF