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IPA90R1K2C3
1个N沟道 耐压:900V 电流:5.1A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA90R1K2C3
- 商品编号
- C3289015
- 商品封装
- TO-220-FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@310uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 最低品质因数 RON × Qg
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
应用领域
- 准谐振反激/正激拓扑
- 电脑主机及消费类应用
- 工业开关电源
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